Shun-ichiro Ohmi教授于1996年在日本東京工業(yè)大學(xué)獲得應(yīng)用物理電子專(zhuān)業(yè)工學(xué)博士后留校任教至今。1997年到1999年間在美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室以博士后的身份從事低阻硅化物研究，隨后在北卡羅來(lái)納大學(xué)進(jìn)行了為期六個(gè)月的學(xué)術(shù)訪(fǎng)問(wèn)。Shun-ichiro Ohmi教授是日本文部科學(xué)省學(xué)術(shù)調(diào)查官，新能源開(kāi)發(fā)機(jī)構(gòu)執(zhí)行官，日本電氣學(xué)會(huì)電子元件技術(shù)委員會(huì)主席，其擔(dān)任的職位負(fù)責(zé)每年數(shù)十億人民幣國(guó)家科研項(xiàng)目經(jīng)費(fèi)的審批。

       Shun-ichiro Ohmi教授長(zhǎng)期致力于CMOS的high-k金屬柵與自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用研究。首次發(fā)明了一種顛覆傳統(tǒng)氧化物high-k金屬柵、基于單一氮化鉿材料的新型high-k堆疊柵(絕緣層的等效氧化物厚度EOT小于0.5 nm)的制備技術(shù)，該發(fā)明極大地簡(jiǎn)化了集成電路制造工藝，降低了芯片制造成本，在16 nm以下集成電路制備工藝中具有極大優(yōu)勢(shì)，已引起日本多家半導(dǎo)體芯片制造商的高度關(guān)注，有望在下一代3D芯片中得到應(yīng)用。另外，Ohmi教授開(kāi)發(fā)了能制備極低CMOS接觸電阻的自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝技術(shù)，該技術(shù)已經(jīng)成功轉(zhuǎn)讓給某國(guó)際著名半導(dǎo)體公司，用于制備大規(guī)模集成電路產(chǎn)品。